TECHNOLOGY

IPD Technology

IPD Technology

受益于应用程序多元化,IPD(Integrated Passive Device:集成无源器件)有望持续增长。
薄膜IPD工艺基于Fine Pitch、优秀的公差控制、高灵活性,提供小型化、低成本、高集成化等高整合性。
WithMEMS是高频用高集成无源器件,为了应对具有High-Q特性的MIS Capacitor、高容量三维Trench Capacitor等各应用程序的各种要求事项,正在强化通过合作的研发。

Features

  • · MIS Capacitor
  • • 高容量Silicon Capacitor:Cap density > 50nF/mm2(内电压 > 12V)
  • • IPD R,L,C Library:确保对Rectangular、Circula、Octagonal结构电感器等300种以上器件的DB
  • · High Q & High Power IPD (8inch HRS) : Q > 25 @2GHz (Metal Thickness = 8um)

Application

  • • 移动通信零部件、RF Power IMFET、Hybrid IC or Quasi-MMIC搭配电路(GaN, Power MMIC)
  • • 5G或mmW应用器件和精密电路板(Interposer)、生物应用零部件、Flexible/Wearable应用零部件