TECHNOLOGY

TSV RDL Technology

TSV Technology

TSV是形成贯穿硅晶圆的微细孔(Via)后,在孔内部填充导电性物质,确保芯片内部直接的电气连接通道的封装(Packaging)技术。
WithMEMS通过Si DRIE、Cu Via Fill镀金技术、凸块技术、RDL薄膜层形成、CMP研磨技术,确保制造多种功能性Substrate及Interposer的应用技术。

Features

  • · Via Aspect Ratio 5 : 1 Cu Void Free
  • • Pattern尺寸精密度:± 2μm以内(Special ± 1μm)
  • • Pattern Line Pitch可至少35μm(Special 11μm Pitch)

Application

  • • MEMS Substrate,利用绝缘层的Interposer、Space Transformer等