TECHNOLOGY

CMP Technology

CMP Technology

CMP(Chemical Mechanical Polishing)是注入研磨污泥,通过摩擦研磨垫和材料表面,用化学机械方法研磨材料表层而使其平坦化的工艺。
作为MEMS构造物制作及叠层工艺过程中必需的核心工艺,拥有关于Silicon Wafer、Silicon Nitride(Si3N4)、SiC、Sapphire、Quartz、Glass、Polyimide等多种材料、多种规格的韩国顶级MEMS CMP(Chemical Mechanical Polishing)工艺能力。

Features

  • • 利用自主研发的Semi-Automated Wax Mounting设备,拥有精密Temportary Bonding技术
  • • 拥有MLC(300mm)基板叠层PI CMP技术及层间Repair技术(±1~2μm TTV管理)
  • • 拥有Micro Probe Tip(Rh)精密CMP技术(末端R值管理)
  • • CMP加工能力 (Min.)
2" 4" 6" 8" 12"
50um /±1um 50um /±1um 50um /±1um 90um /±1um 100um /±2um

Application

  • · MEMS Probe, Ultra Film, Ceramic Thin-Film MLP, Silicon Wafer, Ceramic Guide Plate加工, etc
  • · Si3N4, GaAs, SiO2, Metal(NiCo, Au, SUS etc), Polymer(PR, PI)