CMP(Chemical Mechanical Polishing)是注入研磨污泥,通过摩擦研磨垫和材料表面,用化学机械方法研磨材料表层而使其平坦化的工艺。
作为MEMS构造物制作及叠层工艺过程中必需的核心工艺,拥有关于Silicon Wafer、Silicon Nitride(Si3N4)、SiC、Sapphire、Quartz、Glass、Polyimide等多种材料、多种规格的韩国顶级MEMS CMP(Chemical Mechanical Polishing)工艺能力。
2" | 4" | 6" | 8" | 12" |
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50um /±1um | 50um /±1um | 50um /±1um | 90um /±1um | 100um /±2um |