TECHNOLOGY

Silicon Dry Etch

Silicon Dry Etch

拥有精密MEMS构造物形象化的8英寸基础精密Silicon DRIE Etching基础设施及累积的工艺技术。
DRIE适用于Silicon MEMS、TSV、Silicon Thinning、MEMS Sensor应用领域,具有较快的Etching速度和较高的Etching Uniformity,还有可以轻松获得所需Profile的优点。

Features

  • • 高纵横比Si Etch Aspect Ratio ~ 20 : 1以上
  • • 采用平板印刷技术工艺,按要求进行多种μm单位的微细图案精密加工
  • • 拥有Scallop Control技术
  • • SiO2、SiNx、Thin Film精密蚀刻

Application

  • • 3DIC封装TSV(Through Silicon Via)、Si Wafer Guide、MEMS Sensor、 Wafer Thinning等