WITHMEMS

PROBE CARD SOLUTIONS

探针卡是在半导体设备的电极上连接探针，收发电气信号，并判断晶圆状态的芯片不良与否的核心部件，
WithMEMS利用独有的MEMS工艺技术，提供不同于制造存储器/系统半导体（非存储器）测试探针卡所需的核心部件的高精密测试解决方案。

•系统半导体（非存储器）探针卡：开发及量产供应TRAMS Vertical PH(Probe Head)和ST
• 存储器(DRAM/NAND) 探针卡：开发及量产供应2D Blade Pin(Rh)和300mm Ceramic叠层RDL
• 根据客户要求，开发及量产供定制型零部件

TRAMS Vertical Probe Head

TRAMS是为进行Logic、SoC等非存储设备测试的独有的垂直式探针卡解决方案。Free Load无需Floating，持续性地在ST Pad或PCB Pad上直接接触，稳定性优，可实现Low force、Low scrub、High Alignment精密度。
利用自主设计及MEMS工艺技术，将Metal Housing与Metal Spring的Complex结构同时通过整体工程制造生产。根据应用程序及要求SPEC，通过改变材质及
设计，产品组合正在向多元化发展，以TRAMS探针的垂直式探针头形态开发及供应对应。

· TRAMS is a reverse of ‘SMART’
· TRAMS is a smart and innovative MEMS vertical probing solution for Logic, SoC
· TRAMS is a unique brand and IP of WITHMEMS
· TRAMS is a unique structure that consists of a metal housing and metal spring
· TRAMS is designed and fabricated by In-house MEMS process

Terms -

※ Example : TRAMS-B80 : Min 80um Pitch Probe for bump

Specification of TRAMS
Items	Pad Application		Bump Application
Items	TRAMS-P170	TRAMS-P80	TRAMS-B120	TRAMS-B80
Array Min. Pitch	170um	80um	120um	80um
In-line Min. Pitch	70um	55um	80um	55um
Min. Pad Dimension	40um	40um	40um	40um
Alignment Accuracy(X/Y)	± 5um	± 5um	± 5um	± 5um
Planarity(Z)	± 7um	± 7um	± 7um	± 7um
Operating Temperature	-40~125℃	-40~100℃	-40~100℃	-40~100℃
Pin Force	2.0gf/mil	0.5-1.0gf/mil	1.5-2.0gf/mil	0.5-1.0gf/mil
Typical Overdrive	2mil(Max. 4mil)	2mil(Max. 3mil)	2mil(Max. 3mil)	2mil(Max. 3mil)
Typical Touchdown	700K	600K	700K	600K
Probe Type	MEMS Vertical	MEMS Vertical	MEMS Vertical	MEMS Vertical
Material	Ni Alloy(Rh Tip)	Ni Alloy(Rh Tip)	Ni Alloy	Ni Alloy
Tip Diameter	10 x 10um	10 x 10um	60 x 55um	36 x 33um
Body Size	230 x 44um	90 x 36um	146 x 60um	90 x 36um
Probe Length	2.7mm	2.5mm	3.0mm	2.7mm
Leakage: Pin to Ground	＜10nA	＜10nA	＜10nA	＜10nA
Min. Current per Pin	500mA	300~400mA	500mA	300~400mA
Typical Contact resistance	0.5Ω	0.5Ω	0.5Ω	0.5Ω
Max. Contact resistance	＜2Ω	＜2Ω	＜2Ω	＜2Ω
Probe Mark Dimension	14~16um	14~16um

VPC PH Assembly Procedure

MEMS Blade Probe

利用自主开发的MEMS工艺技术，开发及量产供应适用于DRAM/NAND探针卡及CIS、DC探针卡的高精密MEMS刀片针(Blade Probe)。
可应用Rh（铑）Tip，通过CMP及3D AOI检查可实现最高水平的Thickness精密度（±1μm以内）。
根据应用程序及要求SPEC，可通过变更材质及设计，实现产品定制化。