Probe Card는 반도체 디바이스의 전극에 Probe(Needle)을 Contact하고 전기적 신호를 인가하여 Wafer 상태의 Chip 불량여부를 판독하는 핵심 부품으로, 위드멤스는 독자적 MEMS공정기술을 활용하여, 메모리/시스템반도체(비메모리) 테스트 프로브카드 제작에 필요한 핵심부품과 차별화된 고정밀 테스트 솔루션을 제공하고 있습니다.
TRAMS는 Logic, SoC 등 비메모리 디바이스 테스트를 위한 독자적인 Vertical Probe Card 솔루션입니다. Free Load에 의해 Floating없이 지속적으로 ST Pad 또는 PCB Pad에
Direct Contact 함으로써 Contact 안정성이 우수하며, Low force, Low scrub, High Alignment 정밀도를 구현하고 있습니다.
자체 설계 및 MEMS 공정기술을 활용하여 Metal Housing과 Metal Spring의 Complex 구조를 동시에 일괄공정으로 제작합니다. 어플리케이션 및 요구SPEC에 따라 소재 및
디자인 변경을 통해 제품 포트폴리오를 다변화 하고 있으며, TRAMS Probe가 적용된 Vertical Probe Head 형태로 개발, 공급 대응하고 있습니다.
Items | Pad Application | Bump Application | ||
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TRAMS-P170 | TRAMS-P80 | TRAMS-B120 | TRAMS-B80 | |
Array Min. Pitch | 170um | 80um | 120um | 80um |
In-line Min. Pitch | 70um | 55um | 80um | 55um |
Min. Pad Dimension | 40um | 40um | 40um | 40um |
Alignment Accuracy(X/Y) | ± 5um | ± 5um | ± 5um | ± 5um |
Planarity(Z) | ± 7um | ± 7um | ± 7um | ± 7um |
Operating Temperature | -40~125℃ | -40~100℃ | -40~100℃ | -40~100℃ |
Pin Force | 2.0gf/mil | 0.5-1.0gf/mil | 1.5-2.0gf/mil | 0.5-1.0gf/mil |
Typical Overdrive | 2mil(Max. 4mil) | 2mil(Max. 3mil) | 2mil(Max. 3mil) | 2mil(Max. 3mil) |
Typical Touchdown | 700K | 600K | 700K | 600K |
Probe Type | MEMS Vertical | MEMS Vertical | MEMS Vertical | MEMS Vertical |
Material | Ni Alloy(Rh Tip) | Ni Alloy(Rh Tip) | Ni Alloy | Ni Alloy |
Tip Diameter | 10 x 10um | 10 x 10um | 60 x 55um | 36 x 33um |
Body Size | 230 x 44um | 90 x 36um | 146 x 60um | 90 x 36um |
Probe Length | 2.7mm | 2.5mm | 3.0mm | 2.7mm |
Leakage: Pin to Ground | <10nA | <10nA | <10nA | <10nA |
Min. Current per Pin | 500mA | 300~400mA | 500mA | 300~400mA |
Typical Contact resistance | 0.5Ω | 0.5Ω | 0.5Ω | 0.5Ω |
Max. Contact resistance | <2Ω | <2Ω | <2Ω | <2Ω |
Probe Mark Dimension | 14~16um | 14~16um |
자체 MEMS 공정기술을 활용하여 DRAM/NAND 프로브카드 및 CIS, DC 프로브카드에 적용되는 고정밀 MEMS Blade Probe를 개발 및 양산 공급하고 있습니다.
Rh(로듐) Tip 적용이 가능하며, CMP 및 3D AOI검사를 통해 최고 수준의 Thickness 정밀도(±1um이내) 구현이 가능합니다.
어플리케이션 및 요구SPEC에 따라 소재 및 디자인 변경을 통해 제품 Customizing이 가능합니다.
DRAM/NAND 프로브카드에 적용되는 대면적(300mm) 세라믹 기판(MLC)에 감광성 Polyimide 소재를 적용하여 Lithography, Electro Plating, CMP 등 핵심요소기술을 활용하여 여러 층의 내부전극회로와 Via를 연결하여 복합구조의 적층 회로기판을 제작하고 있으며, Embedded Thin Film Resist 공정은 별도 개발 중에 있습니다.
반도체 Probe Card 핵심부품 관련 궁금하신 사항이 있으시면 문의 주시기 바랍니다.